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空位形成能计算表明：设备随着InOCl单层在β-In2S3(110)表面的吸附，设备四配位In空位的形成能增加了0.11-0.24eV，说明InOCl钝化剂的缺陷修复作用使In空位的形成变得更加困难。关注致密CdS缓冲层作为无机电子传输层被广泛用于薄膜太阳能电池。

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而基于In2S3/InOCl的器件Voc为0.59V、政策资机Jsc为19.13mAcm-2、FF为46.09%，光电转换效率为5.20%

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